Multikristallines n-Typ Silizium
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Описание:
Die in multikristallinem (mc)-Silizium haufig vorkommenden metallischen Verunreinigungen haben in n-dotiertem Si einen weniger schadlichen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften als dies in p-Typ Si der Fall ist. Dies eroffnet die Moglichkeit, mit diesem Material Solarzellen hoheren Wirkungsgrades herzustellen, als dies mit dem bisher in der industriellen Produktion eingesetzten p-Typ mc-Si machbar ist. Deshalb wird hier eine detaillierte Studie der Eigenschaften von blockgegossenem n-Typ mc-Si vorgestellt. Zur Entwicklung eines Solarzellprozesses fur n-Typ mc-Si wird zum einen die Emitterdiffusion mittels BBr3 optimiert. Zum anderen wird die Oberflachenpassivierung des Emitters mit thermischem SiO2, mit PECVD SiN und - als neue Moglichkeit - mit SiC untersucht. Mit dem neuentwickelten Prozess wurden vielversprechende Solarzellenwirkungsgrade erzielt. Simulationen zeigen, das angesichts der sehr guten elektronischen Qualitat des mc n-Typ Si bei weiterer Optimierung des...Похожие книги
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