Schaltverhalten beim IGBT-Transistor

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Schaltverhalten beim IGBT-Transistor
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112
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9783639144079
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Durch die Entdeckung der Halbleitermaterialien und die damit verbundene Entwicklung der klassischen Bauelemente Diode, Transistor etc. ist man in der Lage den elektrischen Strom gerichtet steuern zu konnen. Es ist dadurch moglich, den Stromflu? respektive den Energieflu? auf die spezifischen Erfordernisse des zu versorgenden Energiewandlers abzustimmen. Die gezielte Weiterentwicklung dieser klassischen Bauelemente hat moderne Leistungshalbleiter hervorgebracht die hochdynamisch schalten und dabei verhaltnisma?ig kleine Verluste verursachen. Ein weit verbreiteter Vertreter bei den abschaltbaren Leistungshalbleitern ist der sog. Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT-Transistor. Das Ziel dieser Arbeit besteht in dem Bau und der Inbetriebnahme eines Versuchsstandes zur Darstellung der charakteristischen Spannungen und Strome am IGBT. Anhand der dargestellten Verlaufe kann dann am IGBT-Ersatzschaltbild das transiente Verhalten erklart werden.

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