Закономерности образования структурных дефектов полупроводниках А2В6
 |
|
Содержание:
Неточка Незванова
Описание:
Рассматриваются вопросы дефектообразования в легированных и нелигированных примесями монокристаллах полупроводников А2В6 и кремния при термообработках и облучении ионами и электронами под- и надпороговыми энергиями. Обсуждаются особенности формирования структурных дефектов в эпитаксиальных пленках и сверхструктурах полупроводников А2В6, выращенных методами металлорганической парофазовой и молекулярно-пучковой эпитаксии. В основе книги лежат результаты исследований, выполненных авторами в Красноярском государственном университете (Россия), Кембриджском и Дарлемском университетах (Великобритания). Для специалистов в области физики полупроводников. Может быть полезна аспирантам и студентам вузов, обучающимся по соответствующим специальностям и направлениям.Похожие книги
 | Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках Автор: Г. В. Васильков Год: 1996 |
 | Аттестационные тесты по физике: Варианты заданий и ответы 9 класс Автор: Павленко Н.И., Павленко К.П. Год: 2004 |
 | Аттестация образовательных учреждений, педагогических и руководящих работников: Сборник Автор: Федоренко Л.Г. Год: 2004 |
 | Знакомые насекомые: Нотный сборник: Для солиста и хора в сопровождении фортепиано + CD-Rom Автор: Тухманов Д.Ф., Энтин Ю.С. Год: 2004 |